Необходимость стабилизации режима работы следует из того, что проводимость полупроводника, а значит и токи в транзисторе заметно зависят от температуры, освещенности, давления, соответственно изменяется положение рабочей точки, т. е. режима работы.

 Стабилизация режима работы сводится к стабилизации токов транзистора, например тока эмиттера.
 

Роль R_э:

При U_вх = 0 в R_э проходит I_эА (постоянная составляющая тока эмиттера).

Из схемы следует: I_д·R₂ = U_бэА + I_эA·R_э

U_бэA = I_д·R₂ – I_эA·R_э                                                                                                    (1)

Пример:

С ростом температуры I_эA увеличивается.

Из (1) следует, что U_бэA уменьшается – из основного свойства транзистора следует, что I_э не может расти, значит R_э исключает любое изменение I_э.

С_э обеспечивает прохождение i_э (переменная составляющая тока эмиттера) минуя Rэ, если Х_Сэ << R_э. Х_Сэ=1/(2πfC_э) – емкостное сопротивление.

Поэтому i_э (входной сигнал) заметно усиливается.

Выбираем U_Rэ = (0,1÷0,3)E_к – падение напряжения в R_э.

R_э = U_Rэ/I_эA = U_кэ/(I_бA+I_кA)

1 / (2π f_н С_э) = R_э / (3÷5)

С_э = (3÷5) / ( 2π f_н R_э) , где f_н – низшая частота сигнала, Гц в нашем примере f_н=100Гц;

                                             R_э, ОМ;

                                                    С_э, Ф

R’₁ = (E_к – U_бэА – U_Rэ) / (I_д + I_бА)

R’₂ = (U_бэА+U_Rэ) / I_д