Все элементы в ИМС выполняют на основе транзисторов п/п технологии.

Этапы создания интегрального биполярного транзистора:

1)      изготавливаем однородную подложку сверхчистого кремния “p”-типа; диаметр = 50 до 100 мм; толщина = 30 до 50 мкм. На этой подложке изготавливают одновременно до 500 микросхем.

2)      Термическое окисление подложки при температуре = 1000-1300^о С в парах воды или в атмосфере кислорода. Получают SiO₂ (двуокись кремния) толщиной от 0,2 до 1 мкм. Хороший диэлектрик.

3)      Фотолитография

3.1 наносят фоторезистор толщиной до 1 мкм – вещество которое твердеет под действием света;

3.2 засвечивают через фотошаблон;

3.3 три-хлор-этаном растворяют не засвеченные участки фоторезиста;

3.4 плавиковой кислотой удаляют обнаженные участки SiO₂, следовательно, образуются окна требуемой конфигурации – маска

4) диффузия примесей, например, фосфор, сурьма, мышьяк при температуре = 1200^оС – создается карман “n”-типа

5) повторяем этапы 2, 3 создаем вторую маску, через которую вносим примеси, создающие “р”-область. Например: бор, галлий, индий.

6) повторяя этапы 2, 3 создаем третью маску, через которую вносим примесь, создавая внутреннюю область “n”-типа – эмиттер

7) повторяя этап 2, 3 создаем четвертую маску, через которую напыляем металлические контакты, например, алюминий толщиной 0,5-2 мкм, также создают соединительные дорожки.