4) Компенсированный полупроводник – это проводник, у которого концентрация примеси – N_{донорной} (дает электроны) = N_{акцептроной} (обеспечивает дырочную проводимость) – такой проводник имеет проводимость подобной собственной, но более выраженной.

5) Вырожденный полупроводник -  это проводник, у которого концентрация примеси больше или равно 10¹⁹ 1/см³

При обратном включении, ток почти не зависит от напряжения смотри ВАХ. При достаточно большом обратном напряжении (max), поступает пробой «p-n» перехода – это явление с заметным увеличением тока (десятки и сотни раз). Различают два вида пробоев:

-  электрический пробой,наблюдается только при обратном включении, при напряжении V об. – max, при этом под действием электрического поля источника происходит ударная ионизация атома, следовательно, образуется пару свободных электронов – дырка, число которых растет лавинообразно.

Электрические пробои происходят при токе обратном  меньше или равной току допустимого перехода, поэтому электрический пробой считают обратимым, это значит что при снятии напряжения «p-n» оставляют свои свойства.

- тепловой пробой  возникает при прямом или обратном включении, когда ток превышает допустимые значения I доп. перехода, при этом увеличивается температура, поэтому, следовательно, увеличивается I, следовательно, заметно растет температура. В результате «p-n» переход разрушается, поэтому тепловой пробой называется необратимым.

 

С ростомтемпературы обратный ток заметно увеличивается, т.к. это собственная проводимость, а прямой ток почти не изменяется. Например, при возрастании температуры на 10 градусов по Цельсию, обратный ток увеличивается в 2 – 2,5 раза. Это значит существует температура при которой обратный ток становится сравним с прямым, т.е. происходит тепловой пробой. Температура при которой это происходит является допустимой и является верхней границей рабочих температур полупроводниковых приборов. Эта температура зависти от рода полупроводника: t_допGe +75 C^o, Si +150 C^o ; t_{активации}= -100 ⁰С – это температура при которой примесь начинает проявлять свою проводимость. Для всех полупроводниковых приборов существует границы рабочих температур. Например: Ge – 60 до +75 ⁰С, Si -60 до +150 ⁰С.

- выпрямляющий – это контакт подобен p-n-переходу, но с меньшей потерей напряжения, более высокой КПД. Выпрямляющий контакт описан впервые немецким ученым в 1937 г. В. Шоттки, поэтому выпрямляющий контакт называется барьером Шоттки и является основой диодов Шоттки, транзистора Шоттки.

- невыпрямляющий – является основой для металлических выводов. Проводит ток одинаково при прямом и обратном включении. Применяется для создания металлических выводов, полупроводниковых приборов.