|
В нашем примере изоляция между элементами обеспечивается двумя p-n переходами, один из которых включен в обратном направлении.
Рассмотренная технология изготовления интегральных транзисторов называется планарной, т.к. примесь вносится в п/п с одной и той же грани.
Недостатки планарной технологии:
1) Размытость p-n переходов приводит к тому, что будет низким процент годности микросхем, составляет от 5 до 30 % (годных)
2) Способ изоляции двумя p-n переходами создает паразитную емкость, что снижает частотные свойства микросхем.
Достоинства: меньшая трудоемкость – меньшее количество технологических операций.
Планарной технологией можно изготовить и полевые структуры. Чаще всего изготовляют полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным или индуцированным каналом - структура МДП (М-металичесий; Д-диэлектрик; П-основной п/п).
Иногда изготавливают структуру КМДП – комплиментарные полевые транзисторы с изолированным затвором (МД) и встроенным или индуцированным каналом.
Сравнительная характеристика полевых и биполярных структур:
1) Микросхемы КМДП меньше всего потребляют мощность для своей работы;
2) Микросхемы КМДП имеют меньшее быстродействие т.к. емкость З-К и сопротивление канала образует R-С цепь с большой τзар/раз.
3) Для изготовления микросхем КМДП требуется меньше технологических операций (24 против 32 у биполярных)
4) Микросхемы на биполярных структурах имеют средние основные параметры. Это и определило их преобладание.
5) Микросхемы КМДП имеют большую плотность упаковки.
|
.png)