1)      По степени интеграции:

            К=1 (до 10 элементов) – простые интегральные микросхемы

            K=2 (от 10 до 100 элементов) – средние интегральные микросхемы

            К=4 (от 100 до 1000 элементов) – большие интегральные микросхемы

            К≥4 (более 1000 элементов) – сверхбольшие интегральные микросхемы(СБИС)

2)      По технологии изготовления:

2.1 полупроводниковые (п/п) интегральные микросхемы (ИМС) – все элементы и межэлементные соединения выполняются в объеме и на поверхности полупроводника; 2.2 пленочные ИМС – все элементы и межэлементные соединения выполняются в виде пленок различных веществ

2.3 гибридные ИМС – активные элементы – п/п технология; пассивные элементы – пленочная технология или многокристальные микросхемы.

3)      По применению:

3.1 цифровые интегральные микросхемы (ЦИМС) – применяются для обработки импульсных дискретных сигналов;

3.2 Аналоговые ИМС – предназначены для обработки непрерывных сигналов.