|
Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом
Рассмотрим на примере П.Т. n-типа
Устройство:
Принцип включения:
С-И включается так, чтобы основные носители двигались от И к С в канале; на затвор подаем потенциал, препятствующий движению основных носителей зарядов в канале.
Подложка всегда соединена c источником. В нашем примере на затвор можно подать плюс или минус. Минус препятствует движению электронов в канале, следовательно Iст меньше плюс затвора, следовательно Iст увеличивается.
Основное свойство:
Iст=Iк и заметно зависит от Uст.
Покажем это на стокозатворной характеристике.
|
.png)