|
Диоды в интегральном исполнении (п/п технология)
а) на основе коллекторного перехода б)на основе эмиттерного перехода
Имеет большее рабочее напряжение Имеет меньшее напряжение,
и меньший допустимый ток большой допустимый ток
Резисторы в п/п технологии.
На основе базового слоя получают высокоомные резисторы до нескольких кОм. На основе эмиттерного слоя – низкоомные (десятки Ом)
Переменный резистор изготовляют на основе канала полевого транзистора, сопротивление которого заметно зависит от UЗИ.
Конденсаторы в п/п технологии
Обратно включенные p-n переходы биполярного транзистора или емкость З-К полевого транзистора с изолированным затвором.
Недостатки конденсаторов на основе p-n перехода биполярного транзистора:
1) Работают при определенной полярности включения;
2) Малая удельная емкость (0,2 мкф/см2);
3) Емкость зависит от приложенного напряжения.
|
.png)