Основными эксплуатационными характеристиками транзисторов являются параметры малого сигнала, которые измеряются в линейных режимах и используются при расчетах схем усилителей на транзисторах. Это параметры транзистора, представленного эквивалентным 4-полюсником. Чаще всего на практике применяется система h-параметров. Она просто реализуется в измерительной схеме, создавая режим короткого замыкания (КЗ) или холостого хода (ХХ) на выходе или входе транзистора.

Пусть

U1 =h₁₁i₁+h₁₂u₂

I2=h₂₁i₁+h₂₂u₂

где u1 и i1 - напряжение и ток на входе транзистора, а п2, i2 — напряжение и ток на выходе транзистора; h₁₁=u₁/i₁, h₁₂=i₁/i₂ при КЗ на выходе; h₂₂ =u₁/u₂, h₂₂=i₂/u₂   при ХХ на входе.

Задавая i1 и u2 и измеряя u2 и i1 можно определить все h-параметры.

 

 

 

 

 

 

 

 

На рисунке изображена схема соединений для определения h11б (в схеме с общей базой). Режим КЗ на выходе по переменному току создается конденсатором Скз.

Измерительный переменный сигнал подается от генератора GJ с большим внутренним сопротивлением Ri (генератор тока).

         Если напряжение е и внутреннее сопротивление генератора величины постоянные, то вольтметр, измеряющий напряжение U1 можно градуировать непосредственно в значениях параметра h11. Аналогично можно измерить и остальные параметры.

         Иногда при измерении h-параметров ВЧ- и СВЧ - транзисторов возникает паразитная генерация, которая может привести к неправильным показаниям. В приборе Л2-22 предусмотрена индикация такой генерации. Параметры большого сигнала характеризуют работу транзистора в нелинейных режимах, при которых токи и напряжения между электродами меняются в широких пределах.

Параметры большого сигнала — напряжение насыщения, статический коэффициент передачи, временные параметры переключения — используются при расчете ключевых схем и генераторов.