Обратный ток коллектора маломощных транзисторов при нормальных условиях не превышает 10...20мкА. Схема соединений изображена на рис. 12.9. Это ток через переход коллектор — база при заданном обратном напряжении и разомкнутом выводе эмиттера. Обратный ток эмиттера Iэбо и обратный ток коллектор—эмиттер Iкэ при заданном сопротивлении в цепи базы измеряются аналогичным способом.
Визуальные способы исследования параметров диодов, электронных ламп и транзисторов
Подавая на отклоняющие пластины ЭЛТ трубки напряжения, пропорциональные напряжениям, определяющим, например, вольтамперную характеристику диода, можно получить ее на экране осциллографа. Сравнительно высокая погрешность таких методов исследования (15...20%) является их основным недостатком, но наглядность, быстрота получения характеристики в целом, а не по точкам, — несомненное достоинство.
|
.png)