Профтемы студенту и преподавателю
Taketop.ru
СТУДЕНТУ И ПРЕПОДАВАТЕЛЮ
лекции по дисциплинам
Электротехника, радиотехника и связь :: Электрорадиоизмерения
Измерение параметров интегральных микросхем
Различают три основных метода испытаний интегральных микросхем (ИС): статические, динамические и стендовые (функциональные).
К статическим параметрам относятся:
-уровни выходных напряжений и токов, соответствующие значениям логических единиц и нуля U’вых (I’вых) и нуля U°вых (I°вых);
-статическая помехоустойчивость, характеризующаяся способностью логических элементов сохранять правильное состояние в условиях действия помех, длительность которых существенно превышает длительность переходных процессов;
-мощность потребления от источника питания;
-коэффициент разветвления по выходу, определяющий количество логических элементов, подобных данному, которые можно подключить к его выходу без нарушения работоспособности;
-коэффициент объединения по входу, указывающий число входов интегральной схемы;
-динамические параметры характеризуют быстродействие ИС и ее устойчивость к воздействию импульсных помех. Основными динамическими параметрами, представленными на осциллограмме рис. 12.13, являются:
время задержки включения ИС t1,0зд 
время задержки выключения ИС t0,1зд
время задержки распространения сигнала при включении ИС t0,1зд р
время задержки распространения сигнала при выключении ИС t1,0зд р
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Измерение передаточной характеристики. Передаточную характеристику элемента И можно получить, как показано на рис. 12.14. Напряжение от генератора линейно изменяющегося напряжения 61 подается на ИС и на Х-пластины ЭЛТ. На вертикально отклоняющие пластины подается напряжение с выхода устройства. По получающейся на экране характеристике можно определить:
выходные напряжения логического нуля U°вых и логической единицы U1вых, рабочие точки типовых режимов U1 и U2; пороговые напряжения; ширину активной области; запас статической помехоустойчивости; необходимые напряжения сигналов, переводящие схему из состояния нуля в единицу и наоборот.
 
Измерение выходной характеристики интегральной микросхемы.
Входное напряжение (рис. 12.15) изменяется от значения логического нуля до значения логической единицы, при этом определяют I0вх и I1вх
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Коэффициент разветвления по выходу, определяющий возможность использования данной ИС в комплексе с другими, т. е. их нагрузочную, способность, может быть определен по данным Iвх и Iвых:
I = I0вых/I0вх, К = I’вых/I1вх
Из значений К0 и К1 выбирается минимальное.
Измерение динамических параметров цифровых интегральных микросхем.
Временные параметры ИС определяют по осциллограммам выходного напряжения при подаче на вход «идеального» прямоугольного напряжения. Прямоугольные импульсы подают на один вход, остальные входы элемента И, например, соединяют с уровнем U1вх ,те. обеспечивают возможность переключения ИС по одному входу прямоугольным импульсом.
Импульс с выхода ИС подают на осциллограф, получаю изображение, близкое к рисунку 12.13, и анализируют его.
Среднее время задержки распространения сигнала в ИС может быть определено по схеме кольцевого генератора (рис. 12.16).
 
Генератор состоит из нечетного числа инвертирующих логических элементов (И—НЕ; ИЛИ—НЕ), соединенных последовательно и образующих петлю. В петле возникает положительная обратная связь, вызывающая генерацию с частотой fx, равной половина периода которых Тх/2 = 1/2fx равна сумма задержки распро­стра­нения сигнала в петле. Измерив Тх, время распространения определится:
tзд р = Тх/2 = 1/2fх.
 

Работы, представленные на сайте http://taketop.ru, предназначено исключительно для ознакомления. Все права в отношении работ и/или содержимого работ, представленных на сайте http://taketop.ru, принадлежат их законным правообладателям. Администрация сайта не несет ответственности за возможный вред и/или убытки, возникшие или полученные в связи с использованием работ и/или содержимого работ, представленных на сайте http://taketop.ru
Рейтинг@Mail.ru
Сайт управляется SiNG cms © 2010-2015